Abbildende Methoden
Dient zur Darstellung der zu analysierenden Proben mit bis zu 100.000-facher Vergrößerung
Abbildende Untersuchungen von leitenden oder halbleitenden Werkstoffen
Abbildende Untersuchungen von Isolatoren möglich durch Metallbedampfung (Au Pd Sputtern)
Materialkontrast (Z-Kontrast) von Mikrobereichen im BSE-Modus
Topographie-Kontrast im BSE-Modus
Lokale Materialanalyse (z.B.: Phasenidentifizierung, Elementanalyse)
Elementverteilungsbilder (z.B.: EDX-Mapping, Linescan)
Folgende Detektoren werden bei der bildgebenden Analyse verwendet:
SE - Dektoren
Sekundär Elektronen (SE) sind niederenergetische Elektronen, die durch den Elektronenstrahl ausgelöst werden. Diese werden durch eine Saugspannung in Richtung des Detektors beschleunigt und erzeugen dort eine ihrer Menge entsprechende Anzahl von Impulsen. Damit ist eine höhere Tiefenschärfe und eine höhere Auflösung möglich als bei Lichtmikroskopen.
BSE - Dektoren
Backscattered Electrons (BSE) sind Elektronen, die von der Oberfläche abhängig von der mittleren Ordnungszahl (Z) des Materials zurückstreut werden. Schwere Elemente sorgen für eine starke Rückstreuung, sodass entsprechende Bereiche hell erscheinen. Leichtere Elemente neigen eher dazu, Elektronen zu absorbieren und erscheinen daher dunkler. Das BSE-Bild wird deshalb auch als Materialkontrastbild (Z-Kontrast) bezeichnet und ermöglicht Rückschlüsse auf die chemische Verteilung der Materialen in der Probe. Des Weiteren kann der 2-geteilte BSE-Detektor im Subtraktionsmodus betrieben werden. Dadurch entsteht ein Topographiekontrast, wobei tiefliegende Bereiche des Objekts dunkel erscheinen.
Technische Ausstattung
Philips XL 30 TMP |
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Digitales Hochleistungs-Rasterelektronenmikroskop mit Wolframkathode |
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Vergrößerunge |
5x - 400.000x |
Auflösung |
3,5 nm bei 30kV |
Strahlstrom |
0,4 pA – 4µA max |
Detektoren |
SE-Detektor |
Fünf-Achsen-motorisierter Probentisch |
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Probentisch Bewegungen |
X = 50 mm; Y = 50 mm |
Vakuumarbeitsbereich |
Hochvakuum < 5x10-6 mbar |
Anwendungsbeispiele